- -5%

15 V 120 mA 500 mW
BFG840W
Biegunowość tranzystora: NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter: 15V
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo: 15V
Częstotliwość przejścia ft: 9GHz
Straty mocy Pd: 500mW
Rozproszenie mocy: 500mW
Prąd ciągły kolektora: 120mA
Prąd kolektora DC: 120mA
Rodzaj obudowy tranzystora: SOT-343N
Wzmocnienie prądu DC hFE: 100hFE
Obudowa tranzystora RF: SOT-343N
Liczba pinów: 4piny
Temperatura maxymalna: 175°C
Montaż tranzystora: montaż powierzchniowy SMT