- -10%
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: P-MOSFET
Technologia: HEXFET®
Polaryzacja: unipolarny
Napięcie dren-źródło: -30V
Prąd drenu: -5,8A
Moc rozpraszana: 2,5W
Obudowa: SO8
Montaż: SMD